第一三八四章 光刻机的现状（上）

euv llc联盟的研发费用出资比例中，牵头的美国能源部出30，tel和gca各出20，otoro、ib、it、ad和hp各出4，icron和cyr等其他33家科技企业和研究机构共出10，今后享受的权利同出资比例相同。

gca需要出资的20中，以前的euv研究成果折算15。

gca这些年为了研发euv投资了15亿美元，取得了不少有关euv的研究成果，但离成功还有很远的距离，以gca一家之力很难完成，汤普森院长不得不放弃，出面邀请美国能源部和tel等光刻机和半导体产业的同行，美国能源部牵头成立了euv llc。

美国能源部的三家国家实验室、tel和cyr等公司这些年也在研发euv，但远远落后在gca的后面，汤普森院士众望所归，成了euv llc联盟的cto。

作为gca的法人兼董事长，孙健乐见其成。

光刻机公司迟迟不能攻克193n波长的世界级难题，65n制程工艺光刻机迟迟见不到身影，gca和nikon着急，但最着急的是财大气粗的tel和ad，没有下一代光刻机，tel和ad研发的下一代cpu只能成为研发成果，不能变成产品，不能上市，消费者将失去购买欲望，公司的销售和利润锐减，投资者用脚投票，股价下跌，市值减少，研发费用减少，研发受阻，会发生一系列连锁反应。

前世，由于迟迟不能攻克193n波长的世界级难题，光刻机制程工艺一直停留在90n，摩尔定律失效！直到2007年左右，asl生产的世界第一台193n波长的浸没式光刻机问世，一举突破了90n制程工艺，65n、45n、32n、28n、20n、14n、10n……制程工艺越来越细，制造难度越来越大。

重生前，euv光刻机已经诞生，台积电已经宣布能生产7n制程工艺的芯片，全球光刻机公司就剩下asl、nikon、canon和沪海微电子（se）等四家。

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“各位董事都知道，业界对下一代光刻机的发展提出了两条技术路线，据我所知，157n光刻技术同样遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战，不是短时间能克服的；即使euv llc联盟在5年内研发成功euv，但euv光刻机量产还有很长的路要走，业界悲观预测，5年内看不到65n制程工艺光刻机问世，芯片的升级换代将会陷入停滞，受到美国经济下滑和65n制程工艺技术研发受阻的双重影响，半导体产业的快速发展也不可能继续延续。”

孙健一脸严肃，不是信口雌黄，也不是指点江山，准确预测光刻机产业和半导体产业未来的发展趋势，避免gca陷入被动，继续树立gca一把手的权威形象。

打算关门的gca能成为全球第一大光刻机公司，孙董事长的贡献第一，这是现场众董事的心声。

光刻机产业和半导体产业一荣俱荣，一损俱损。